1.集成1顆高(gāo)可(kě)靠性HVIC,2顆2.4ohm,2A/500V快(kuài)恢複MOSFET;
2.DIP8小體積,低成本封裝;3. >10us 短路電流耐固能力;
4. 集成保護特性:
- Shoot-through保護
- VCC&BST-SW UVLO保護檢測
- 過溫度保護。
1.集成1顆高(gāo)可(kě)靠性HVIC,2顆2.4ohm,2A/500V快(kuài)恢複MOSFET;2.DIP8小體積,低成本封裝;3. >10us 短路電流耐固能力;4. 集成保護特性: - Shoot-through保護 - VCC&BST-SW UVLO保護檢測 - 過溫度保護。